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离子注入机国产化步伐加速 思锐智能推出高能离子注入机系列


【资料图】

新华财经上海8月20日电(记者高少华)离子注入机与光刻机、刻蚀机和镀膜设备并称为芯片制造的四大核心工艺装备,也是目前国产化率非常低的前道工艺设备。记者近日从青岛四方思锐智能技术有限公司获悉,思锐智能近年不断提高自主创新能力,已在今年推出了国产离子注入设备,并在近期发布了高能离子注入机系列。

据专业研究机构调研数据显示,2022年全球半导体离子注入设备的市场规模为206亿元,预计2023年增至211亿元;而2022年中国大陆的离子注入设备市场规模为66亿元,预计2023年有望增至74亿元,增速高于全球平均值。目前,大束流离子注入机、高能离子注入机和中束流离子注入机分别占据61%、18%和20%市场份额。

离子注入机具有极高的进入门槛和市场集中度,长期以来全球离子注入机技术和市场主要被美国企业所把控,应用材料和亚舍立2家美国公司占据了全球90%以上市场份额。2014年印发的《国家集成电路产业发展推进纲要》明确指出,要研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备,加快产业化进程,增强产业配套能力。

思锐智能董事长聂翔在接受记者采访时表示:“市场繁荣增长的另一面,却是离子注入机的国产化率仅有约3%,尤其是高能离子注入机,在离子注入机当中属于难度最高的机型,目前国产化进程几乎处于空白状态。我们希望通过加速离子注入设备的国产化,助力中国集成电路产业的高质量发展。”

为应对离子注入机国产化的迫切需求,思锐智能发挥整合海外技术资源优势,组建了一支海外技术研发专家与本土技术团队相结合的核心技术团队,开启了离子注入设备的研发攻关,并推出高能离子注入机产品。

聂翔表示,离子注入机在集成电路制程中的应用范围极为广泛,涵盖逻辑存储、传感器、射频器件、特色功率器件等。思锐智能的离子注入机业务将聚焦硅基集成电路先进工艺制程,满足HEI和HCI的国产化替代需求;迎接以碳化硅为代表的第三代半导体快速发展趋势,拓展系列碳化硅离子注入机;未来形成具备全系列离子注入机产品开发的能力。

今年6月,思锐智能已经推出了公司首款高能离子注入机SRII-8M设备;在大束流离子注入机方面,预计将于年底推出公司低能大束流离子注入机SRII-60。除此之外,在碳化硅功率器件市场,思锐智能计划于明年推出公司碳化硅离子注入机系列。

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